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VBP165R01 产品详细

产品简介:

**产品简介:**
VBsemi VBP165R01 是一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO247,适用于各种电源和功率控制应用。

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产品参数:

**详细参数说明:**
- 额定漏极-源极电压(VDS):650V
- 额定栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 典型栅极电阻(VGS=10V):8500 mΩ
- 额定漏极电流(ID):1A

领域和模块应用:

**适用领域和模块示例:**
1. **电源模块:** 由于其高电压和低漏电流特性,VBP165R01 可用于开关电源模块,提供稳定的电压输出。

2. **电动汽车充电桩:** 在电动汽车充电桩中,VBP165R01 可用作功率开关器件,实现高效的能量转换和控制。

3. **太阳能逆变器:** 在太阳能逆变器中,该型号的 MOSFET 可以作为开关装置,将太阳能电池板收集的直流电转换为交流电。

4. **工业自动化控制:** VBP165R01 在工业自动化控制领域中可用于驱动各种电机和执行器,提供可靠的功率开关解决方案。

5. **LED照明驱动:** 该型号的 MOSFET 可以用于 LED 照明驱动电路中,实现对 LED 光源的精确控制和调光功能。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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