MOSFET

您现在的位置 > 首页 > MOSFET

VBP1606 产品详细

产品简介:

该产品为单N沟道场效应晶体管,主要参数包括:
- 最大漏极-源极电压(VDS):60V
- 最大门极-源极电压(VGS):±20V
- 门极阈值电压(Vth):2.5V
- 在VGS=10V时的漏-源电阻:7mΩ
- 最大漏极电流(ID):150A
- 技术特点:采用沟道结构

这款产品适用于各种领域的功率电子应用

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

产品型号:VBP1606
品牌:VBsemi
参数:
- Single N
- VDS(V): 60
- VGS(±V): 20
- Vth(V): 2.5
- VGS=10V(mΩ): 7
- ID (A): 150
- Technology: Trench

封装:TO247

领域和模块应用:


**应用简介:**
这款产品适用于各种领域的功率电子应用,特别适合以下领域和模块:

1. **工业高压电源模块:** 由于其高电压和大电流特性,该产品非常适合用于工业高压电源模块,如工业电源、高压变频器和电磁感应加热设备等,以提供稳定的高压电源。

2. **电力输配设备:** 在电力输配领域,该产品可用于开关柜、断路器和电力调节器等设备,实现对电力系统的保护和控制。

3. **新能源领域:** 该产品可用于新能源领域的逆变器、充放电控制器和风力发电系统等模块,实现对太阳能和风能等可再生能源的高效利用。

4. **高性能电机驱动器:** 在工业自动化和机器人领域,该产品可用于高性能电机驱动器和变频器模块,提高设备的运行效率和精准度。

5. **高性能电源模块:** 由于其高电流和低漏阻特性,该产品适用于高性能电源模块,如服务器电源、电信基站电源和电动汽车充电桩,确保稳定的电能供应。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

序列号验证

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
序列号验证
在线咨询
电话咨询
微信咨询