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VBP1601 产品详细

产品简介:

VBsemi的VBP1601是一款单通道N沟道场效应晶体管(Single N),采用Trench工艺制造。它的主要参数包括:最大漏极-源极电压(VDS)为60V,最大栅极-源极电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为3V,以及在10V栅极-源极电压下的导通电阻为1mΩ。该器件采用TO247封装,适用于各种应用场合。

VBP1601适用于需要高功率、高电压、高电流的电子系统,如功率放大、电源开关和电动车辆等领域的模块中。

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产品参数:

产品型号: VBP1601
品牌: VBsemi
参数:
- Single N
- VDS(V): 60
- VGS(±V): 20
- Vth(V): 3
- VGS=10V(mΩ): 1
- ID (A): 150
- Technology: Trench
封装: TO247

领域和模块应用:

应用示例:
1. **功率放大模块**: VBP1601的高电压承受能力和低导通电阻使其非常适合用于功率放大模块中的功率放大电路。例如,在音频放大器或功率放大器中,它可以用作输出级的功率管,帮助实现高保真音频放大和功率输出。

2. **电源开关模块**: 由于VBP1601具有较高的最大漏极-源极电压和电流承受能力,因此它也适合用于电源开关模块中的开关电源电路。例如,在电源变换器或逆变器中,它可以用作开关管,帮助实现高效的电源转换和稳定的输出。

3. **电动车辆模块**: 该器件的高电压承受能力和大电流能力使其在电动车辆模块中有广泛的应用。例如,在电动汽车的驱动系统中,它可以用作电机控制器的功率管,帮助实现电机的高效驱动和动态控制。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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