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VBP15R33SFD 产品详细

产品简介:

VBP15R33SFD是一款Single N结构的高功率MOSFET,具有高电压承受能力、低阈值电压、低漏极-源极电阻和适用于多重外延工艺(SJ_Multi-EPI)等特性。其TO247封装适合在需要高功率承受能力、低阈值电压和低漏极-源极电阻的场景,包括工业电力变频器、太阳能逆变器、电力电子调速器等领域。

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产品参数:

参数:
- 结构类型:Single N
- 额定漏极-源极电压(VDS):500V
- 门源电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 漏极-源极电阻(VGS=10V):90 mΩ
- 漏极电流(ID):33A
- 技术:SJ_Multi-EPI
封装:TO247

领域和模块应用:

举例说明:
1. 工业电力变频器:
VBP15R33SFD具有较高的漏极电流(33A)和低漏极-源极电阻(90 mΩ),适合作为电力变频器中的功率开关元件,用于控制电机的启停和转速调节,提高工业生产设备的效率和稳定性。

2. 太阳能逆变器:
在太阳能逆变器中,需要使用高功率MOSFET来实现对太阳能电池板产生的直流电的逆变为交流电。VBP15R33SFD的高电压承受能力和低阈值电压特性使其成为逆变器中的理想选择。

3. 电力电子调速器:
在电力电子调速器中,需要使用功率MOSFET来实现对电机的精确控制和调速功能。VBP15R33SFD的高电流承受能力和低漏极-源极电阻使其适用于电力电子调速器中的功率开关模块。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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