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VBP1254N 产品详细

产品简介:

VBP1254N是一款单N沟道MOSFET,具有高达250V的额定漏极-源极电压和60A的漏极电流。其特点包括±20V的标准栅极-源极电压、3.5V的阈值电压以及40毫欧的漏极-源极电阻。该器件采用Trench技术,封装为TO247。

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产品参数:

参数:
- 类型: 单N沟道MOSFET
- 额定漏极-源极电压(VDS): 250V
- 标准栅极-源极电压(VGS): ±20V
- 阈值电压(Vth): 3.5V
- 栅极-源极电压为10V时的漏极-源极电阻(毫欧): 40
- 漏极电流(ID): 60A
- 技术: Trench
封装: TO247

领域和模块应用:

举例说明:
1. 工业电力领域: 由于VBP1254N具有高额定电压和大的漏极电流,适用于工业电力系统中的高功率模块,如工业电源和变频器。在工业电源中,它可以用作直流稳压器的功率开关器件,实现电压调节和过载保护。
2. 电动车辆: 该MOSFET可用于电动汽车和混合动力车辆中的电力控制模块,如电动机驱动器和电池管理系统。其高电压和低漏极-源极电阻特性确保了电动车辆系统的高效运行和长期稳定性。
3. 高性能服务器: 在数据中心的高性能服务器中,VBP1254N可用作功率转换器和电源管理模块的关键组件,提供高效的电能转换和稳定的电源供应。其高额定电压和大漏极电流能够满足服务器系统对电力管理的严格要求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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