MOSFET

您现在的位置 > 首页 > MOSFET

VBP1206N 产品详细

产品简介:

VBsemi VBP1206N是一款单极N型MOSFET,具有200V的最大漏极-源极电压和35A的最大漏极电流。采用沟槽型结构(Trench)技术,有利于降低导通时的电阻,提高了开关速度和功率密度。阈值电压为3V,且在10V的栅极电压下,具有约56mΩ的漏极-源极电阻,表现出良好的导通特性。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

**参数:**
- 单极N型MOSFET
- 最大漏极-源极电压(VDS):200V
- 最大栅极-源极电压(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):3V
- VGS=10V时的漏极-源极电阻(mΩ):56
- 最大漏极电流(ID):35A
- 技术:Trench(沟槽型结构)
- 封装:TO247

领域和模块应用:


**应用简介:**
1. **工业电力模块:** VBsemi VBP1206N适用于工业电力模块中的电机驱动器、变频器等,用作功率开关器件,实现电力的开关控制和调节,提供稳定的电力输出。

2. **电动车充电桩:** 在电动车充电桩中,VBsemi VBP1206N可用作功率开关器件,用于控制充电电流和电池充放电过程,确保充电桩的高效充电和安全运行。

3. **太阳能逆变器:** VBsemi VBP1206N可用于太阳能逆变器中,用作开关管,将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电,供应给家庭或工业用电网。

4. **工业自动化设备:** 由于VBsemi VBP1206N具有较高的漏极-源极电压和电流能力,适合用于工业自动化设备中的电源控制、电机驱动和传感器接口等功能,提高工业设备的智能化和自动化水平。

这些示例说明了VBsemi VBP1206N在工业电力、电动车充电、太阳能和工业自动化等领域的广泛应用,以及在这些应用中所扮演的角色。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

序列号验证

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
序列号验证
在线咨询
电话咨询
微信咨询