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VBP1204M 产品详细

产品简介:

VBP1204M是一款由VBsemi生产的单N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该器件具有以下详细参数:

- VDS(V): 200V - 漏极-源极电压
- VGS(±V): 20V - 栅极-源极电压
- Vth(V): 3V - 阈值电压
- VGS=10V(mΩ): 400mΩ - 在栅极-源极电压为10V时的导通电阻
- ID (A): 15A - 漏极电流
- Technology: Trench - 使用沟槽技术制造
- 封装: TO247 - TO247封装形式

VBP1204M MOSFET适用于需要高功率、高电压和高效能量转换的应用,包括电力电子模块、电动车辆模块和高频率变换模块等领域。

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产品参数:

产品型号: VBP1204M
品牌: VBsemi
参数: Single N
VDS(V): 200
VGS(±V): 20
Vth(V): 3
VGS=10V(mΩ): 400
ID (A): 15
Technology: Trench
封装: TO247

领域和模块应用:


VBP1204M适用于多种领域和模块,例如:

1. 电力电子模块: 由于其较高的漏极-源极电压(200V)和漏极电流(15A)能力,VBP1204M适用于高功率的电力电子模块,如工业电源、电力传输和分配系统。其低导通电阻(400mΩ)和沟槽技术制造的优势使其能够实现高效能量转换和稳定性能。

2. 高性能电动车辆(EV)模块: 该器件适用于高性能的电动车辆功率模块,如电动汽车的驱动器、充电器和电池管理系统。其高电压和电流承受能力以及低导通电阻可以满足电动车辆对高效能量转换和长期稳定性的要求。

3. 高频率变换模块: VBP1204M适用于需要高频率操作的变换模块,例如高频率的开关电源、射频通信系统和无线电设备。其沟槽技术制造的优势使其具有快速的开关速度和低损耗,适用于高频率操作的应用场景。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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