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VBP1202M 产品详细

产品简介:

VBP1202M是VBsemi公司推出的Single N型沟道MOSFET,具有以下特点:
- 额定漏极-源极电压(VDS)为200V,适用于中高压应用;
- 门极-源极电压(VGS)为±20V,具有较大的工作范围;
- 阈值电压(Vth)为3V,具有优异的开启特性;
- 在门极电压为10V时的导通电阻(RDS(on))为200mΩ,能够降低功耗并提高效率;
- 最大漏极电流(ID)为20A,具备较大的工作电流容量;
- 采用Trench技术,具有稳定可靠的性能;
- 封装形式为TO247,适合于中高功率应用和散热要求较高的场合。

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产品参数:

参数:
- Single N型
- VDS(V):200
- VGS(±V):20
- Vth(V):3
- VGS=10V时的导通电阻(mΩ):200
- ID (A):20
- 技术:沟道MOSFET(Trench)
封装:TO247

领域和模块应用:


应用简介:
VBP1202M适用于多种领域和模块,包括但不限于:
1. 电力电子模块:由于其较高的额定电压和较大的电流容量,VBP1202M可用于电力电子模块,如电力变换器、电动汽车充电桩和电力调频器等,实现稳定可靠的电力转换和控制。
2. 工业控制模块:在工业控制领域,VBP1202M可应用于开关控制、电机控制和工业自动化系统等模块,提供高效可靠的控制和驱动功能。
3. 太阳能逆变器模块:作为太阳能逆变器模块的关键组成部分,VBP1202M能够实现太阳能电能的高效转换和稳定输出,提供可靠的太阳能发电解决方案。
4. 高频功率放大模块:在通信设备和雷达系统等高频电子设备中,VBP1202M可用作功率放大模块,提供稳定高效的功率放大功能。
5. 电动汽车驱动模块:由于其大电流容量和稳定性,VBP1202M适用于电动汽车驱动系统中的逆变器和电机驱动模块,提供高效可靠的驱动控制。
6. 电源模块:在电源系统中,VBP1202M可用于开关电源、UPS电源和工业电源等模块,提供稳定高效的电能转换和输出。

以上是VBP1202M产品在不同领域和模块中的应用示例,说明了其在各种应用场景下的优势和适用性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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