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VBP1151N 产品详细

产品简介:

VBP1151N是一款单N型的Trench技术MOSFET,具有150V的漏极-源极电压(VDS),±20V的门极-源极电压(VGS),3V的阈值电压(Vth),以及12毫欧的导通电阻。它能够承受最大150安培的漏极电流(ID)。该器件采用TO247封装。

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产品参数:

参数:
- 类型: 单N型
- VDS(V): 150
- VGS(±V): ±20
- 阈值电压(V): 3
- VGS=10V时的导通电阻(毫欧): 12
- 最大漏极电流(ID) (安培): 150
- 技术: Trench
封装: TO247

领域和模块应用:


**应用简介:**
1. **电源管理**: VBP1151N适用于各种电源管理应用,包括电源开关模块和DC-DC转换器。由于其高耐压和低导通电阻特性,可用于提高功率转换效率。

2. **工业控制**: 该器件的高电流承受能力和可靠性使其成为工业控制领域中的理想选择,例如工业机器人控制器和电机驱动器。

3. **太阳能逆变器**: VBP1151N的高耐压特性使其适用于太阳能逆变器中的功率开关模块,可用于将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电。

4. **电动汽车充电桩**: 该器件可用于电动汽车充电桩中的功率开关模块,确保充电过程的高效率和可靠性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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