VBP110MR24 - VBsemi MOS管制造商

VBP110MR24 产品详细

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产品简介：

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VBsemi的VBP110MR24型号是一款单N沟道场效应晶体管（Single N），具有以下主要参数：
- 额定漏极-源极电压（VDS）：1000V
- 额定栅极-源极电压（VGS）：±30V
- 阈值电压（Vth）：3.5V
- 在VGS=10V时的漏极-源极导通电阻（mΩ）：420
- 最大漏极电流（ID）：24A
- 技术：Plannar
- 封装：TO247

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产品参数：

详细参数说明：
- 产品型号：VBP110MR24
- 品牌：VBsemi
- 类型：单N沟道场效应晶体管
- 额定电压：VDS=1000V，VGS=±30V
- 阈值电压：Vth=3.5V
- 漏极-源极导通电阻（VGS=10V时）：420mΩ
- 最大漏极电流：24A
- 技术：Plannar
- 封装：TO247

领域和模块应用：

适用领域和模块举例：
- 高压工业应用：适用于需要高额定电压和大电流的工业控制系统和电源模块，如高压变频器和高压电力设备。
- 电力变换器模块：可用于电力系统中的逆变器和电机驱动器模块，实现高效的电能转换和控制。
- 高性能电源模块：适用于需要稳定输出电压和大电流的高性能电源系统，如工业自动化设备和通信基站。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持：

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