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VBP110MR12 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBsemi 的 VBP110MR12 是一款单 N 型 MOSFET,采用了 Plannar 技术,具有高达 1000V 的漏极-源极电压(VDS)和优秀的电性能。该产品封装为 TO247,适用于各种电力应用场景。

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产品参数:

详细参数说明:
- 产品型号:VBP110MR12
- 品牌:VBsemi
- 类型:单 N 型 MOSFET
- 最大漏极-源极电压(VDS):1000V
- 最大栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在 VGS=10V 时的漏极-源极电阻(mΩ):880
- 最大漏极电流(ID):12A
- 技术:Plannar
- 封装:TO247

领域和模块应用:





应用举例:
该产品适用于多种领域和模块,例如:
1. 电力电子系统:可用于高压、高功率的电力电子系统,如逆变器、变频器、电力调节器等。
2. 电动汽车:适用于电动汽车中的电力传动系统,如电机控制器、电池管理系统等。
3. 工业控制:可用于各种工业自动化系统中的电源控制、电机控制等模块。
4. 太阳能发电系统:由于具有高耐压能力和较低的导通电阻,可用于太阳能逆变器中的功率开关部件,提高系统的效率和稳定性。

以上是该产品在不同领域和模块中的一些应用举例。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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