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VBP110MR09 产品详细

产品简介:

**产品简介:**

VBsemi VBP110MR09 是一款单N沟道MOSFET,采用Plannar技术,具有高性能和可靠性。该产品适用于各种电源和功率控制应用,封装为TO247。

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产品参数:

**详细参数说明:**

- 品牌:VBsemi
- 产品型号:VBP110MR09
- MOSFET类型:单N沟道
- 额定电压(VDS):1000V
- 最大门源电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 典型静态漏极电阻(VGS=10V):1200mΩ
- 最大漏极电流(ID):9A
- 技术:Plannar
- 封装:TO247

领域和模块应用:

**适用领域和模块举例:**

1. **电力电子变流器:** VBP110MR09 的高额定电压和漏极电流使其适用于各种电力电子变流器,如交流-直流逆变器、直流-交流变流器等,用于电力系统中的能量转换和控制。

2. **电力供应模块:** 在各种电力供应模块中,如工业电源、交流稳压电源等,VBP110MR09 可用作功率开关器件,提供稳定可靠的电力输出。

3. **电机驱动器:** 在电机驱动器应用中,VBP110MR09 可用于控制电机的启停和速度调节,如工业机器人、电动汽车等,提供高效的电机控制。

4. **太阳能发电系统:** 由于其高性能和可靠性,VBP110MR09 适用于太阳能发电系统中的功率开关模块,用于太阳能电能的转换和调节。

5. **电力传输设备:** 在电力传输设备中,如变压器、开关设备等,VBP110MR09 可用作功率开关器件,实现对电力系统的稳定控制和传输。

以上是 VBP110MR09 产品适用的一些领域和模块示例,其高性能和可靠性使其成为各种功率控制应用的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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