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VBP1104N 产品详细

产品简介:

VBP1104N是VBsemi公司推出的一款单通道N沟道场效应管,具有以下特点和性能:

1. **高压耐受性**:额定电压(VDS)为100V,适用于需要较高电压耐受性的应用场合。
2. **宽电压范围**:栅极-源极电压(VGS)可达±20V,可适应不同的驱动电路要求。
3. **低阈值电压**:阈值电压(Vth)为1.8V,表明该器件在低电压下即可实现可靠的导通,有利于降低功耗。
4. **低导通电阻**:在栅极电压为10V时,漏极-源极电阻仅为35mΩ,具有较低的导通电阻,有利于提高效率和减小功耗。
5. **大漏极电流容量**:最大漏极电流(ID)可达85A,适用于大电流负载的驱动。

VBP1104N作为一款高性能的单通道N沟道场效应管,适用于电力电子模块、电动车充电器、工业自动化设备、电能存储系统等多种领域和模块,可为各种电力电子应用提供稳定、高效的功率控制和驱动功能。

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产品参数:

参数:
- 类型:Single N
- 额定电压(VDS):100V
- 栅极-源极电压(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):1.8V
- 栅极电压为10V时的漏极-源极电阻(mΩ):35
- 最大漏极电流(ID):85A
- 技术:Trench
封装:TO247

领域和模块应用:

应用示例:
由于VBP1104N具有高压耐受性、宽电压范围、低阈值电压、低导通电阻和大漏极电流容量等特点,适用于多种领域和模块,包括但不限于:

1. **电力电子模块**:在电力电子模块中,VBP1104N可作为功率开关管,用于开关电源、逆变器和变换器等设备,实现电能的转换和控制,提高系统的效率和稳定性。

2. **电动车充电器**:在电动车充电器中,VBP1104N可作为充电控制模块的关键器件,用于控制充电电流和充电时间,保障电动车充电过程的安全性和稳定性。

3. **工业自动化设备**:在工业自动化设备中,VBP1104N可作为电机驱动模块的关键组成部分,用于控制电机的启停、转速和方向,提高设备的生产效率和可靠性。

4. **电能存储系统**:在电能存储系统(如电池组、超级电容器等)中,VBP1104N可作为充放电控制模块的关键元件,用于控制电能的存储和释放,提高系统的能量转换效率和稳定性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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