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VBP1102N 产品详细

产品简介:

VBP1102N是一款具有高性能和可靠性的单N沟道MOSFET,适用于各种电源和功率管理应用。其特点包括低漏极-源极导通电阻、高漏极电流和宽工作电压范围,使其在多种领域和模块中得到广泛应用。包括工业电源、汽车电子和电源逆变器等,具有广泛的应用前景。

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产品参数:

参数:
- 类型:单N沟道MOSFET
- 额定电压(VDS):100V
- 门极-源极电压(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):1.8V
- 在VGS=10V时的漏极-源极导通电阻(mΩ):18mΩ
- 漏极电流(ID):72A
- 技术:沟道型MOSFET
- 封装:TO247

领域和模块应用:

举例说明:
1. 工业电源模块:
VBP1102N适用于工业电源模块中的功率开关和电源控制电路。其高漏极电流和低导通电阻能够有效地提供稳定的电源输出,并实现高效能的功率转换,使其成为工业设备和机械的理想选择。

2. 汽车电子模块:
在汽车电子模块中,VBP1102N可以用于电动汽车、混合动力汽车和传统汽车的电源管理系统。其高性能和可靠性可以确保电动车辆的稳定性和安全性,同时提高电动汽车的能效,符合汽车行业对于高性能和低能耗的要求。

3. 电源逆变器模块:
在太阳能逆变器、电网逆变器和UPS(不间断电源)等电源逆变器模块中,VBP1102N可以用作开关管件,实现电能的转换和控制。其高额定电压和大漏极电流能够适应不同规模的电源逆变器系统,并保证高效能和可靠性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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