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VBNCB1303 产品详细

产品简介:

该产品是一款单体N沟道MOSFET,适用于30V的最大漏极-源极电压和±20V的最大栅极-源极电压,特别适用于电动车辆、电源逆变和工业控制等需要高功率和高性能的应用场合。阈值电压为1.7V,漏极电流可达90A,采用Trench技术制造。封装为TO262。

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产品参数:

产品型号: VBNCB1303
品牌: VBsemi
参数:
- 单体N沟道MOSFET
- 最大漏极-源极电压(VDS): 30V
- 最大栅极-源极电压(VGS): ±20V
- 阈值电压(Vth): 1.7V
- 在VGS=4.5V时的导通电阻(RDS(on)): 7 mΩ
- 在VGS=10V时的导通电阻(RDS(on)): 3.4 mΩ
- 最大漏极电流(ID): 90A
- 技术: Trench
封装: TO262

领域和模块应用:

这款MOSFET适用于许多领域和模块,以下是一些例子:

1. 电动车辆模块:适用于电动汽车和电动自行车的电动控制模块,如电机驱动器和电池管理系统,提供高效的电能转换和稳定的电机驱动。

2. 电源逆变模块:适用于太阳能逆变器和电源逆变器等模块,提供高效的电能转换和稳定的交流电源输出,广泛应用于太阳能光伏和风能发电系统等领域。

3. 工业控制模块:在工业自动化控制器和PLC控制系统中,可用于工业电机控制和工业设备驱动等模块,提供高性能的工业控制和稳定的生产工艺。

4. 电池管理模块:在电池充放电控制器和电池保护系统中,可用于锂电池和电动汽车电池等模块,确保电池的安全充放电和长寿命。

5. 高性能电源模块:适用于服务器和数据中心的电源管理系统,如UPS和服务器电源供应器等模块,提供高效的电能转换和可靠的电源保障。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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