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VBN165R13S 产品详细

产品简介:

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VBN165R13S是VBsemi推出的单N沟道MOSFET型号,具有高性能和可靠性。采用SJ_Multi-EPI技术制造,封装为TO262,适用于各种功率电子应用场合。

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产品参数:

详细参数说明:
- VDS(V): 650V
- VGS(±V): ±30V
- Vth(V): 3.5V
- 在VGS=10V时,漏极-源极电阻为330mΩ
- 最大漏极电流ID为13A

领域和模块应用:

适用领域和模块示例:
1. 汽车电子:VBN165R13S适用于汽车电子系统中的电动汽车驱动控制模块,帮助提高汽车的动力性能和能源利用率。
2. 太阳能逆变器:该MOSFET可用于太阳能逆变器中的功率开关模块,有助于提高太阳能发电系统的转换效率和稳定性。
3. 工业自动化:VBN165R13S适用于工业自动化领域中的电机控制模块,可用于提高生产线的精准度和效率。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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