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VBN165R11SE 产品详细

产品简介:

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VBsemi VBN165R11SE 是一款 Single N MOSFET,采用 SJ_Deep-Trench 技术,封装为 TO262。具有高性能和稳定性,适用于各种功率控制和开关应用。

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产品参数:

详细参数说明:
- 品牌:VBsemi
- 产品型号:VBN165R11SE
- MOSFET类型:Single N
- 额定电压(VDS):650V
- 栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 栅源电压为10V时的导通电阻:310mΩ
- 最大连续漏极电流(ID):11A
- 技术:SJ_Deep-Trench
- 封装:TO262

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 电动车电力系统:由于 VBN165R11SE 具有高电压容忍度和导通电阻能力,适用于电动车的电力转换模块和充电器控制。
2. 太阳能逆变器:作为太阳能逆变器中的关键元件,VBN165R11SE 可以实现太阳能电池板产生的直流电到交流电的转换。
3. 工业自动化设备:在工业自动化设备中,VBN165R11SE 可以用作电源开关和控制元件,如PLC控制器和机器人控制系统。
4. LED照明:在 LED 照明应用中,VBN165R11SE 可以作为电源驱动器中的开关管,实现高效的电能转换和调光控制。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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