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VBN1615 产品详细

产品简介:

该产品为单N沟道场效应晶体管,具有以下主要参数:
- 最大漏极-源极电压(VDS):60V
- 最大门极-源极电压(VGS):±20V
- 门极阈值电压(Vth):1.7V
- 在VGS=10V时的漏-源电阻:15mΩ
- 最大漏极电流(ID):60A
- 技术特点:采用沟道结构

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产品参数:

产品型号:VBN1615
品牌:VBsemi
参数:
- Single N
- VDS(V): 60
- VGS(±V): 20
- Vth(V): 1.7
- VGS=10V(mΩ): 15
- ID (A): 60
- Technology: Trench

封装:TO262

领域和模块应用:


**应用简介:**
这款产品适用于多种功率电子应用,特别适合以下领域和模块:

1. **电源开关模块:** 由于其高电流和低漏阻,该产品非常适合用于电源开关模块,如开关电源、DC-DC转换器和电机控制器等,以提供稳定的电能转换和控制。

2. **电动车充电桩:** 在电动车充电桩中,该产品可用作功率开关模块,通过控制电流和电压,实现对电池的快速充电和保护,提高充电效率和安全性。

3. **家用电器控制器:** 在家用电器中,该产品可用于功率开关模块,如电动工具的开关电源和家电控制器,提高设备的性能和可靠性。

4. **LED驱动器:** 该产品可用于LED照明系统中的驱动器模块,通过控制LED的电流和电压,实现对照明效果的调节和控制,提高照明系统的效率和亮度。

5. **工业自动化系统:** 在工业自动化领域,该产品可用于变频器、电机控制器和PLC等模块,提高系统的运行效率和精确度。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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