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VBN1303 产品详细

产品简介:

该产品是一款单极性N沟道场效应管,具有30V的额定漏极-源极电压和90A的最大漏极电流。在VGS=4.5V时,漏极-源极导通电阻为7mΩ,在VGS=10V时为4mΩ。其阈值电压为1.7V,采用沟槽型技术制造。封装为TO262。

由于该场效应管具有较高的漏极电流和低的导通电阻,适合用于需要大电流和低压降的场合。其沟槽型技术可以提高器件的性能和稳定性,适用于高频率和高功率的电路应用。

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产品参数:

产品型号:VBN1303
品牌:VBsemi
参数:
- 单极性N沟道场效应管(Single N)
- 额定漏极-源极电压(VDS):30V
- 额定栅极-源极电压(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):1.7V
- 在VGS=4.5V时的漏极-源极导通电阻(mΩ):7
- 在VGS=10V时的漏极-源极导通电阻(mΩ):4
- 最大漏极电流(ID):90A
- 技术:Trench(沟槽型)
封装:TO262

领域和模块应用:

举例说明:
1. **电源模块**:在电源模块中,VBN1303可以作为开关管使用,用于控制电源输出的稳定性和效率。由于其低导通电阻和高漏极电流,可以有效减少电源模块的功率损耗,提高系统的能效。

2. **马达控制**:在马达控制系统中,VBN1303可以作为电机驱动器中的开关管,用于控制电机的启停和转速调节。其高漏极电流和低压降特性使其能够在高电流和高速度的驱动应用中表现出色。

3. **光伏逆变器**:在光伏逆变器中,VBN1303可以用作逆变器中的开关管,用于将太阳能板产生的直流电转换为交流电。其高漏极电流和低压降特性可以提高逆变器的转换效率和稳定性,同时减少能量损耗。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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