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VBN1204N 产品详细

产品简介:

VBN1204N是VBsemi推出的一款单晶N沟道场效应管,其Trench技术和38mΩ的低清极电阻确保了高效的电流传输和稳定的功率输出,适用于电动汽车的动力系统和驱助控制。

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产品参数:

参数:
- 单晶N沟道场效应管
- 额定漏极-源极电压(VDS): 200V
- 额定栅极-源极电压(VGS)(±V): ±20V
- 阈值电压(Vth): 3V
- VGS=10V时的漏极-源极电阻(mΩ): 38
- 最大漏极电流(ID): 445A
- 技术: Trench
封装: TO262

领域和模块应用:

该产品适用于以下领域和模块:

1. 高功率电源模块:
VBN1204N场效应管适用于高功率电源模块,如大型工业设备和电网系统。其200V的额定漏极-源极电压和445A的最大漏极电流能够提供大功率的电力传输和稳定的电压输出,满足工业领域对电力转换和电源管理的高要求。

2. 电动汽车控制器:
由于其高性能和高电流容量,VBN1204N场效应管适用于电动汽车控制器,如电机驱动器和电池管理系统。其Trench技术和38mΩ的低漏极电阻确保了高效的电流传输和稳定的功率输出,适用于电动汽车的动力系统和驱动控制。

3. 电力调制器模块:
该产品适用于电力调制器模块,如变频器和电力电子调节器。其高漏极电流容量和TO262封装使其能够在高功率电力传输和电压调节中提供稳定可靠的性能,适用于工业生产和电力调节系统。

4. 高效能源转换器:
VBN1204N场效应管还适用于高效能源转换器,如太阳能逆变器和风力发电系统。其高漏极电流容量和低漏极电阻确保了高效的能量转换和稳定的电压输出,适用于可再生能源系统的能量转换和电力管理。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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