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VBN1204M 产品详细

产品简介:

VBN1204M是一款单N沟道MOSFET,具有高耐压、低阈值电压和适中的导通电阻,适用于各种中功率电子设备的设计。

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产品参数:

参数:
- 类型: 单N沟道MOSFET
- 额定漏极-源极电压(VDS): 200V
- 额定栅极-源极电压(VGS): ±20V
- 阈值电压(Vth): 3V
- 栅-源电压为10V时的漏极-源极导通电阻(mΩ): 430mΩ
- 漏极电流(ID): 10A
- 技术: 沟道栅结构
- 封装: TO262

领域和模块应用:

以下是该产品适用的一些领域和对应的模块:

1. 电源逆变器模块:
VBN1204M可用于设计电源逆变器模块,用于将直流电转换为交流电,广泛应用于UPS电源、太阳能逆变器和电动汽车充电器等领域。其高漏极-源极电压和可靠的性能使其成为逆变器中的重要开关元件。

2. 马达驱动模块:
在各种中功率电机控制系统中,VBN1204M可以作为电机驱动器模块的关键组成部分。适用于工业机械、电动车辆、家用电器等领域的马达控制器,如风扇控制器、泵控制器和电动车辆驱动控制器等。

3. 电动车辆充电模块:
作为电动车辆充电模块的一部分,VBN1204M可以用于设计电动车辆的直流快速充电器和交流充电桩。其高漏极-源极电压和稳定的性能使其能够在电动车辆充电系统中实现高效、安全的充电过程。

4. 工业控制模块:
在工业自动化领域,VBN1204M可用于设计各种中功率工业控制模块,如PLC控制器、工业机器人和自动化生产线。其可靠性和稳定性使其成为工业控制系统中的重要元件,确保设备的正常运行和生产效率的提高。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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