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VBN1202M 产品详细

产品简介:

VBN1202M是VBsemi公司生产的单通道N型MOSFET,具有高性能和可靠性。其特性包括200V的漏极-源极电压,±20V的栅极-源极电压(最大值),以及3V的阈值电压。采用沟道深沟工艺(Trench),具有较低的导通电阻和最大10A的漏极电流,适用于各种高压、高电流的应用场景。

VBN1202M作为一款高性能、可靠性强的单通道N型MOSFET,适用于电源模块、电动车控制、太阳能逆变器和工业自动化等领域的各种模块。

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产品参数:

**参数:**
- **Single N:** 单通道N型MOSFET
- **VDS(V):** 漏极-源极电压:200V
- **VGS(±V):** 栅极-源极电压(最大值):±20V
- **Vth(V):** 阈值电压:3V
- **VGS=10V(mΩ):** 栅极-源极电压为10V时的导通电阻:430mΩ
- **ID (A):** 最大漏极电流:10A
- **Technology:** 沟道深沟工艺(Trench)
- **封装:** TO262

领域和模块应用:

**应用简介:**
VBN1202M适用于多个领域和模块,包括但不限于:

1. **电源模块:** 由于其高耐压和高电流特性,VBN1202M可用于电源模块中的功率开关和稳压器。它可以帮助实现高效的能量转换和稳定的电源输出。

2. **电动车控制:** 在电动车控制系统中,VBN1202M可以作为电机控制器的关键组件,用于实现电机的高效控制和运行。其低导通电阻和高漏极电流能够确保电动车系统的高性能。

3. **太阳能逆变器:** 对于需要高效转换太阳能电能的逆变器系统,VBN1202M可以用作功率开关和电源控制器,确保逆变器系统的稳定性和效率。

4. **工业自动化:** 在工业自动化系统中,VBN1202M可用于各种控制和驱动模块,如电机控制、传感器接口和执行器控制等。其可靠性和性能使其成为工业环境下的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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