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VBN1105 产品详细

产品简介:

VBN1105是VBsemi推出的单极性 N 型 MOSFET,具有100V的额定漏极-源极电压(VDS),可在±20V的门源电压范围内工作。其阈值电压为2.5V,漏极-源极电阻在VGS=4.5V时为10 mΩ,在VGS=10V时为9 mΩ。该器件的最大漏极电流为100A,采用沟道 MOSFET(Trench)技术,具有高性能和稳定的特性。封装形式为TO262,适用于需要高性能、高可靠性和高效率的功率电子模块,如电源管理、汽车电子和工业控制等领域。

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产品参数:

参数:
- 电流极性:单极性 N 型
- 额定漏极-源极电压(VDS):100V
- 门源电压范围(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):2.5V
- 在VGS=4.5V时的漏极-源极电阻(RDS(on)):10 mΩ
- 在VGS=10V时的漏极-源极电阻(RDS(on)):9 mΩ
- 最大漏极电流(ID):100A
- 技术:沟道 MOSFET(Trench)
封装:TO262

领域和模块应用:


**应用简介:**
由于VBN1105具有适中的额定漏极-源极电压和漏极电流,以及较低的漏极-源极电阻,因此适用于多种领域和模块。以下是一些适用领域和对应的模块举例:

1. 电源管理模块:
VBN1105可用作各种类型的电源管理器件,如DC-DC变换器、AC-DC变换器和功率因数校正(PFC)电路。其高性能和稳定性能使其能够在各种电源管理系统中可靠运行,同时较低的漏极-源极电阻有助于降低功率损耗和提高效率。

2. 汽车电子模块:
在汽车电子领域,VBN1105可用于车载电源系统中的功率开关器件,如车载DC-DC变换器、车载电动机控制器和车载充电器。其高漏极-源极电压和适中的漏极电流能够满足汽车电子系统的功率需求,同时较低的漏极-源极电阻有助于提高系统的效率和性能。

3. 工业控制模块:
VBN1105适用于各种类型的工业控制器和驱动器,如工业电机驱动器、变频器和逆变器。其高性能和稳定性能使其能够在工业控制系统中可靠运行,同时较低的漏极-源极电阻有助于提高系统的响应速度和控制精度。

*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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