MOSFET

您现在的位置 > 首页 > MOSFET

VBN1101N 产品详细

产品简介:

VBN1101N是一款采用Trench技术的单N沟道场效应晶体管,具有100V的耐压、100A的最大漏极电流和中等漏极-源极导通电阻等特点。该器件适用于中功率的应用场合,可用于多种功率电子设备和电源管理模块中。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

参数:
- 类型:Single N
- VDS(耐压):100V
- VGS(门源电压,正负):±20V
- Vth(门阈电压):2.5V
- VGS=4.5V时的漏极-源极导通电阻(mΩ):10
- VGS=10V时的漏极-源极导通电阻(mΩ):9
- 最大漏极电流(ID):100A
- 技术:Trench(沟槽结构)
- 封装:TO262

领域和模块应用:

举例说明:
1. 电动汽车充电桩:VBN1101N可用作电动汽车充电桩中的功率开关器件,实现充电控制和电能转换功能,确保电动汽车的安全快速充电。
2. 工业变频器:在工业变频器中,VBN1101N可用于变频器模块的功率开关控制,实现电机的调速控制和节能运行。
3. 太阳能逆变器:应用于太阳能逆变器中,VBN1101N可用于逆变器模块的功率开关控制,实现太阳能发电系统的电能转换和电网连接。
4. LED照明系统:在LED照明系统中,VBN1101N可用于LED驱动电路的功率开关控制,提供稳定的电源和高效的照明驱动。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

序列号验证

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
序列号验证
在线咨询
电话咨询
微信咨询