MOSFET

您现在的位置 > 首页 > MOSFET

VBMB2625 产品详细

产品简介:

VBMB2625是VBsemi品牌推出的一款单P通道沟道场效应管(MOSFET),VBMB2625作为一款功能强大、性能稳定的单P通道MOSFET,适用于多种领域和模块,可实现电源开关控制、功率管理和电能转换等功能。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

具有以下参数和特性:

- **VDS(V):** 最大漏极-源极电压为-60V,适用于低至中等电压的应用场景。
- **VGS(±V):** 门源极电压范围为±20V,提供较大的控制范围。
- **Vth(V):** 阈值电压为-1.7V,表示在此电压下开始导通。
- **VGS=4.5V(mΩ):** 在门源极电压为4.5V时的漏极-源极电阻为30mΩ。
- **VGS=10V(mΩ):** 在门源极电压为10V时的漏极-源极电阻为25mΩ。
- **ID (A):** 最大漏极电流为-50A,适用于中等电流的应用。
- **Technology:** 采用Trench工艺制造,具有良好的性能和稳定性。
- **封装:** 采用TO220F封装。

领域和模块应用:

该产品适用于多种领域和模块,例如:

在电源管理模块中,VBMB2625可用作开关管,用于电源开关控制和功率管理,例如在电源逆变器、DC-DC转换器和电力供应系统中。

在工业电机驱动模块中,VBMB2625可用于工业电机控制器和变频器,用于精确的运动控制和能耗管理,例如在风力发电机、电动车辆和工业自动化设备中。

在电力电子模块中,VBMB2625可用于高功率电源系统、电力调节器和电能质量控制器,例如在电力变压器、UPS系统和智能电网中。

在汽车电子模块中,VBMB2625可用于汽车电动机驱动器和控制器,用于电池管理系统和车载电子设备的电源开关控制。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

序列号验证

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
序列号验证
在线咨询
电话咨询
微信咨询