MOSFET

您现在的位置 > 首页 > MOSFET

VBMB2609 产品详细

产品简介:

VBMB2609是VBsemi品牌的单P型场效应晶体管,具有高性能和高可靠性,在各种电机控制、电源管理和工业自动化模块中都具有广泛的应用前景,能够为不同领域的电子设备提供稳定可靠的性能支持。
该产品采用TO220F封装。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

具有以下参数:
最大漏极-源极电压(VDS)为-60V,
最大门源电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为-2.5V。
在门源电压为4.5V时,漏极-源极电阻为13mΩ;
在门源电压为10V时,漏极-源极电阻为9mΩ。
其最大漏极电流(ID)为-65A,
采用沟槽工艺(Trench)。

领域和模块应用:

VBMB2609晶体管适用于多种领域和模块。例如,
在电机控制模块中,它可以用于电机驱动器、电源开关和速度调节器。
由于其高漏极-源极电流和低漏极-源极电阻,该晶体管特别适合用于高性能电机控制和功率放大应用。在电源管理模块中,它可用于DC-DC转换器、电源逆变器和电池充电器。
此外,在工业自动化模块中,它可用于电源开关、传感器接口和控制系统。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

序列号验证

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
序列号验证
在线咨询
电话咨询
微信咨询