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VBMB2202K 产品详细

产品简介:

VBsemi的VBMB2202K是一款单P通道功率MOSFET,采用Trench技术制造,VBMB2202K适用于多种领域和模块。

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产品参数:

**VBMB2202K**

**品牌:** VBsemi
**参数:**
- 单位: P
- VDS(V): -200
- VGS(±V): 20
- Vth(V): -2
- VGS=4.5V(mΩ): 2400
- VGS=10V(mΩ): 2000
- ID (A): -3.6
- Technology: Trench
**封装:** TO220F

具有-200V的漏极-源极电压(VDS),20V的栅极-源极电压(VGS),和-2V的阈值电压(Vth)。在栅极-源极电压为4.5V时,导通时的导通电阻为2400mΩ;在栅极-源极电压为10V时,导通时的导通电阻为2000mΩ。该MOSFET的最大漏极电流(ID)为-3.6A,

领域和模块应用:

**应用简介:**
VBMB2202K适用于多种领域和模块,其中包括但不限于:
1. **电源开关模块:** 由于其低阈值电压和高电压容忍度,该MOSFET特别适用于电源开关模块,如开关电源、逆变器和功率放大器。它能够提供可靠的电源开关和高效的能量转换。

2. **电动工具模块:** 在电动工具领域,VBMB2202K可用于电动锤钻、电动锯等电动工具的功率控制模块。其高性能和耐久性使其能够承受高负载和频繁的工作周期。

3. **太阳能逆变器模块:** 在太阳能发电领域,该MOSFET可用于太阳能逆变器模块,用于将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电。其高效率和稳定性有助于提高太阳能发电系统的整体性能。

4. **汽车电子控制模块:** 在汽车电子领域,VBMB2202K可用于汽车电子控制模块,如点火系统、发动机控制单元和车身控制模块。其高温容忍度和可靠性确保了汽车电子系统的稳定运行。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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