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VBMB2201K 产品详细

产品简介:

VBMB2201K是VBsemi品牌的单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用槽沟技术制造

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产品参数:


- 额定漏极-源极电压(VDS):-200V
- 门-源电压(VGS)范围:±20V
- 阈值电压(Vth):-2.5V
- 门-源电压为4.5V时的漏极-源极电阻(RDS(on)):1200mΩ
- 门-源电压为10V时的漏极-源极电阻(RDS(on)):1000mΩ
- 最大漏极电流(ID):-7A

领域和模块应用:

该器件采用TO220F封装。采用槽沟技术制造的特性使其在各种应用中表现出色。例如,在功率电子模块中,VBMB2201K可以用于电源管理、电机驱动、逆变器等领域。其高额定电压和低导通电阻使其特别适用于需要承受高电压和高功率的场合,如电动汽车充电桩、太阳能逆变器以及工业变频器等模块中。此外,其门控特性和低阈值电压也使其成为智能家居产品中的理想选择,如智能灯控模块、智能插座等。VBMB2201K的高性能和可靠性使其在各种应用中都能发挥重要作用。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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