5LN01C-TB-E-VB - VBsemi MOS管制造商

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5LN01C-TB-E-VB SOT23-3 MOSFET 产品简介

5LN01C-TB-E-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用SOT23-3封装。该器件适用于低功率应用，具有60V的漏极-源极电压（VDS），栅极电压（VGS）为±20V，阈值电压（Vth）为1.7V。采用Trench技术，尽管导通电阻（RDS(ON)）较高，分别为3100mΩ @ VGS=4.5V 和 2800mΩ @ VGS=10V，但能提供最大0.3A的漏极电流（ID），适合于需要低功耗和小电流驱动的场合。

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产品参数：

5LN01C-TB-E-VB SOT23-3 MOSFET 详细参数说明

| 参数 | 值 |
|-----------|--------------------------------|
| 封装 | SOT23-3 |
| 配置 | 单N沟道 |
| 漏极-源极电压 (VDS) | 60V |
| 栅极电压 (VGS) | ±20V |
| 阈值电压 (Vth) | 1.7V |
| 导通电阻 (RDS(ON)) @ VGS=4.5V | 3100mΩ |
| 导通电阻 (RDS(ON)) @ VGS=10V | 2800mΩ |
| 漏极电流 (ID) | 0.3A |
| 技术 | Trench |

领域和模块应用：

5LN01C-TB-E-VB SOT23-3 MOSFET 的应用领域和模块举例

应用领域
1. **低功耗电子设备**：如便携式消费电子产品，如智能手机和平板电脑中的电源管理和电池保护。
2. **传感器接口**：用于传感器信号放大和接口电路，确保低噪声和稳定的传感器操作。
3. **电源开关**：在低电流负载和小型电源开关电路中，提供基本的开关功能和电流控制。

模块举例
1. **便携式电子模块**：适用于各种便携式电子产品中的小功率开关电路，如手持设备的电池管理和充放电控制。
2. **传感器接口模块**：用于连接和驱动各种传感器的接口电路，保证稳定的传感器工作并最大程度地减少功耗。

5LN01C-TB-E-VB SOT23-3 MOSFET 由于其小尺寸、低功耗和适中的电流能力，是许多需要小型化和低功耗设计的电子设备和模块的理想选择。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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