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5LN01C-D-VB 产品详细

产品简介:

一、5LN01C-D-VB 产品简介

5LN01C-D-VB 是一款单N沟道MOSFET,采用SOT23-3封装。它适用于低功率应用,具有较高的漏极-源极电压和较低的静态功耗,是电子电路设计中的理想选择。

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产品参数:

二、5LN01C-D-VB 详细参数说明

- **封装类型**:SOT23-3
- **配置**:单N沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**:60V
- **栅极-源极电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 3100mΩ @ VGS = 4.5V
- 2800mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**:0.3A
- **技术**:Trench

领域和模块应用:

三、适用领域和模块举例

5LN01C-D-VB MOSFET 在以下领域和模块中具有广泛应用:

1. **低功率电子设备**:
- 由于其低漏极电流和较高的漏极-源极电压,5LN01C-D-VB 可以用于便携式电子设备、传感器接口和低功耗控制电路,如智能手表、小型传感器模块等。

2. **电池管理和充放电保护**:
- 在电池管理系统和充放电保护电路中,5LN01C-D-VB 可以作为电池保护开关,有效控制电流和保护电池免受过电流和过电压的损害。

3. **电源开关和逆变器**:
- 适用于小型电源开关和逆变器电路,5LN01C-D-VB 可以帮助实现高效的电能转换和稳定的电力输出,适合于需要轻量化和节能的应用场合。

4. **模拟信号开关和控制**:
- 在模拟信号处理和控制电路中,5LN01C-D-VB 可以用作信号开关和电压调节器,提供精确的信号处理和稳定的电压输出。

5. **传感器信号处理**:
- 适用于传感器信号的放大和处理,5LN01C-D-VB 可以帮助提高传感器的灵敏度和响应速度,实现精确的数据采集和处理。

通过以上示例,展示了5LN01C-D-VB MOSFET 在低功率、电池管理、电源开关和信号处理等多个领域中的实际应用和优势。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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