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VBMB2157N 产品详细

产品简介:

VBsemi的VBMB2157N是一款单P通道功率MOSFET,具有-150V的漏极-源极电压(VDS),20V的栅极-源极电压(VGS),和-2V的阈值电压(Vth)。在栅极-源极电压为4.5V时,导通时的导通电阻为70mΩ;在栅极-源极电压为10V时,导通时的导通电阻为65mΩ。该MOSFET的最大漏极电流(ID)为-30A,采用Trench技术制造。

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产品参数:

**VBMB2157N**

**品牌:** VBsemi
**参数:**
- 单位: P
- VDS(V): -150
- VGS(±V): 20
- Vth(V): -2
- VGS=4.5V(mΩ): 70
- VGS=10V(mΩ): 65
- ID (A): -30
- Technology: Trench

**封装:** TO220F

领域和模块应用:

**应用简介:**
VBMB2157N适用于多种领域和模块,其中包括但不限于:
1. **电动车辆驱动模块:** 由于其高漏极电流和低导通电阻,该MOSFET可用于电动车辆的电机驱动模块,如电动汽车、电动自行车和电动滑板车。它能够提供高效、可靠的电机控制,并支持电动车辆的高速运行。

2. **工业电源模块:** 在工业应用中,VBMB2157N可用于工业电源模块,如工业UPS、工业电焊机和工业电机驱动器。其高电压容忍度和高漏极电流能够满足工业设备对稳定电源的需求。

3. **太阳能充电控制模块:** 该MOSFET还可用于太阳能充电控制模块,用于调节太阳能电池板与电池之间的充电电流和电压。其低导通电阻和高功率特性使其成为太阳能充电系统的理想选择。

4. **航空航天电子模块:** 在航空航天领域,VBMB2157N可用于航空航天电子模块,如飞机控制系统、卫星通信系统和太空探测器。其高可靠性和耐用性能够确保电子设备在极端环境中的稳定运行。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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