VBMB2101M - VBsemi MOS管制造商

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产品简介：

VBMB2101M是VBsemi公司推出的一款高性能单P型场效应晶体管（MOSFET）。该器件具有可靠的漏极-源极电压和栅极-源极电压，以及较低的阈值电压，适用于各种功率电路设计。采用Trench技术制造，具有良好的导通特性和稳定性。TO220F封装适用于中等功率应用，具有较好的散热性能和安装方便性。适用于多个领域和模块，能够满足不同应用场合的需求。

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产品参数：

**产品型号：** VBMB2101M
**品牌：** VBsemi
**参数：**
- 电源类型：Single P
- 最大漏极-源极电压（VDS）：-100V
- 最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
- 阈值电压（Vth）：-2V
- VGS=4.5V时的漏极-源极电阻（mΩ）：120
- VGS=10V时的漏极-源极电阻（mΩ）：100
- 最大漏极电流（ID）：-23A
- 技术：Trench
**封装：** TO220F

领域和模块应用：

**举例说明：**
1. 电源开关模块：VBMB2101M可用于电源开关模块中的开关电路和功率控制，确保电源系统的高效稳定运行，并降低功率损耗。
2. 电动机控制模块：在电动机控制模块中，VBMB2101M适用于电机驱动和速度调节，确保电动机的稳定运行，并提高其效率和性能。
3. 汽车电子模块：由于VBMB2101M具有较高的漏极电流和较低的漏极-源极电阻，可用于汽车电子模块中的电源管理和驱动控制，提高汽车电子系统的性能和安全性。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持：

* 如果您对产品有任何问题，请填写表格提交，我们会24小时内回复您

MOSFET

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