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VBMB19R20S 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBMB19R20S是VBsemi品牌的单N沟道MOSFET,采用了SJ_Multi-EPI技术,封装为TO220F。该产品具有900V的漏极-源极电压(VDS),能够承受±30V的栅极-源极电压(VGS),并具有3.5V的阈值电压(Vth)。在VGS=10V时,具有270mΩ的导通电阻。额定漏极电流(ID)为20A,适用于各种工业和电子应用领域。

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产品参数:

详细参数说明:
- 产品型号:VBMB19R20S
- 品牌:VBsemi
- 类型:单N沟道MOSFET
- VDS(漏极-源极电压):900V
- VGS(栅极-源极电压):±30V
- Vth(阈值电压):3.5V
- VGS=10V时的导通电阻:270mΩ
- 额定漏极电流(ID):20A
- 技术:SJ_Multi-EPI
- 封装:TO220F

领域和模块应用:




适用领域和模块举例:
1. 电力电子模块:VBMB19R20S具有较高的漏极电压和额定漏极电流,适用于电力电子模块中的开关电源、逆变器和变换器等部分,可用于工业和商业电力系统中。
2. 电动汽车控制:在电动汽车控制系统中,需要承受高电压和电流的功率开关器件,VBMB19R20S可用于电动汽车的电机驱动和电池管理,帮助实现电动汽车的高效运行和节能减排。
3. 高频开关电源:VBMB19R20S具有较低的导通电阻和高频特性,适用于高频开关电源中的功率开关和调节器件,帮助实现电源的高效转换和稳定输出。
4. 工业自动化控制:在工业自动化控制领域,需要可靠的功率开关器件来实现各种功能,VBMB19R20S可用于工业控制模块中的开关控制和电源管理,例如电机驱动、温度控制等。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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