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VBMB19R15S 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBsemi的VBMB19R15S型号是一款单通道N沟道功率MOSFET,具有900V的漏极-源极电压(VDS)、15A的漏极电流(ID),以及3.5V的阈值电压(Vth)。采用了SJ_Multi-EPI技术,封装为TO220F。该MOSFET适用于高压高功率的应用场景,并具有较低的导通电阻和较高的漏极电流承受能力。

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产品参数:

详细参数说明:
- 产品型号:VBMB19R15S
- 品牌:VBsemi
- 类型:单通道N沟道功率MOSFET
- 最大漏极-源极电压(VDS):900V
- 门-源电压(VGS)范围:±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在VGS=10V时的导通电阻(mΩ):370
- 最大漏极电流(ID):15A
- 技术:SJ_Multi-EPI
- 封装:TO220F

领域和模块应用:





应用领域举例:
1. 工业电源系统:VBMB19R15S可用于工业电源系统中的开关电源模块,提供稳定的高压电力输出,适用于机械设备、制造业等领域。
2. 电动汽车充电桩:在电动汽车充电桩中,需要承受较高的电压和电流,VBMB19R15S可作为开关元件,实现充电过程的控制和调节。
3. 太阳能逆变器:在太阳能逆变器中,需要高效率的功率开关器件来实现太阳能电能的转换和输出,VBMB19R15S的高电压和电流特性使其成为逆变器模块的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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