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VBMB19R11S 产品详细

产品简介:

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VBMB19R11S是VBsemi生产的单N沟道MOSFET,具有900V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)、3.5V的阈值电压(Vth)。采用SJ_Multi-EPI技术,封装为TO220F。该产品具有高漏极电流和适中的导通电阻,适用于多种高压应用场合。

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产品参数:

详细参数说明:

- VDS(漏极-源极电压):900V
- VGS(栅极-源极电压):±30V
- Vth(阈值电压):3.5V
- 在VGS=10V时的导通电阻(mΩ):580mΩ
- 最大漏极电流(ID):11A
- 技术:SJ_Multi-EPI
- 封装:TO220F

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:

1. 工业高压电源模块:由于VBMB19R11S具有高漏极电流和高漏极-源极电压,适用于工业高压电源模块中的开关电源和直流-直流变换器。
2. 太阳能逆变器:可用于太阳能逆变器中的功率开关和直流-交流转换器,以实现太阳能电能的有效利用。
3. 电动汽车充电桩:在电动汽车充电桩中,可用于功率开关和控制电路,实现高效快速充电。
4. LED照明:适用于LED照明应用中的功率开关和调光控制,提供高效的照明解决方案。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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