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VBMB19R07S 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBsemi的VBMB19R07S型号是一款Single N型的功率场效应晶体管(MOSFET),封装为TO220F。该器件采用SJ_Multi-EPI技术制造,具有出色的性能和可靠性。其主要特点包括额定漏极-源极电压(VDS)为900V,最大漏极电流(ID)为7A,开启电压(Vth)为3.5V,以及在VGS=10V时的导通电阻为770mΩ。

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产品参数:

详细参数说明:
- 产品型号:VBMB19R07S
- 品牌:VBsemi
- 参数:
- 类型:Single N
- 额定漏极-源极电压(VDS):900V
- 额定栅极-源极电压(VGS):±30V
- 开启电压(Vth):3.5V
- 在VGS=10V时的导通电阻:770mΩ
- 最大漏极电流(ID):7A
- 技术:SJ_Multi-EPI
- 封装:TO220F

领域和模块应用:

应用领域举例:
1. 电源模块:VBMB19R07S适用于电源模块中的功率开关电路,如稳压器、开关电源等,帮助实现稳定的电压输出和高效的能量转换。
2. 电动车充电器:该器件的高电压和高电流特性使其非常适合用于电动车充电器中的功率开关,用于控制充电过程中的电流和电压,实现快速、高效的充电。
3. 电源逆变器:VBMB19R07S可应用于电源逆变器中的功率开关模块,如逆变器、变频器等,用于将直流电转换为交流电,供电给各种家用电器和工业设备。

这些领域和模块需要使用功率MOSFET来控制电流和电压,而VBMB19R07S的性能特点使其成为这些应用中的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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