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VBMB19R05SE 产品详细

产品简介:

**产品简介:**

VBsemi VBMB19R05SE是一款单N沟道MOSFET,采用SJ_Deep-Trench技术,具有高性能和可靠性。该产品适用于各种电源和功率控制应用,封装为TO220F。

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产品参数:

**详细参数说明:**

- 品牌:VBsemi
- 产品型号:VBMB19R05SE
- MOSFET类型:单N沟道
- 额定电压(VDS):900V
- 最大门源电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 典型静态漏极电阻(VGS=10V):1000mΩ
- 最大漏极电流(ID):5A
- 技术:SJ_Deep-Trench
- 封装:TO220F

领域和模块应用:

**适用领域和模块举例:**

1. **电源供应器:** 由于VBMB19R05SE具有900V的额定电压和5A的最大漏极电流,适用于各种电源供应器,如开关电源、电源逆变器等。

2. **电动汽车充电器:** 由于其高性能和可靠性,VBMB19R05SE可用于电动汽车充电器中的功率开关模块,实现高效率的充电过程。

3. **太阳能逆变器:** 该MOSFET适用于太阳能逆变器中的功率开关模块,可实现太阳能电能的高效转换。

4. **工业自动化:** VBMB19R05SE可用于工业自动化领域中的功率控制模块,如变频器、电机驱动器等,提供稳定可靠的功率输出。

5. **电源管理模块:** 在各种电源管理应用中,如服务器电源、通信设备电源等,VBMB19R05SE可用于功率开关模块,实现高效节能的电源管理。

这些是VBMB19R05SE产品适用的一些领域和模块示例,它的高性能和可靠性使其成为各种功率控制应用的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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