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VBMB195R06 产品详细

产品简介:

### 产品简介

VBsemi VBMB195R06 是一款单 N 沟道功率 MOSFET,属于高性能产品系列。采用平面工艺制造,具有高电压和高导通电流的特点,适用于各种工业和电子设备中的功率控制和开关应用。

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产品参数:

### 详细参数说明

- **产品型号:** VBMB195R06
- **品牌:** VBsemi
- **参数:**
- **类型:** Single N
- **漏极-源极电压(VDS):** 950V
- **栅极-源极电压(VGS):** ±30V
- **阈值电压(Vth):** 3.5V
- **栅极-源极电压为10V时的导通电阻(mΩ):** 2400
- **漏极电流(ID):** 6A
- **技术:** 平面工艺(Plannar)
- **封装:** TO220F

领域和模块应用:





### 应用领域举例

1. **电源模块:** VBMB195R06 可用于工业电源、电力系统等领域中的开关电路和逆变器模块,帮助实现电源的高效稳定输出。

2. **电机驱动:** 在电机驱动领域,该产品可用于电动汽车、工业机械等领域中的电机控制器中,实现电机的精确控制和高效运行。

3. **充电器和逆变器:** VBMB195R06 可应用于太阳能逆变器、电动车充电器等领域中的功率开关,提高设备的性能和效率。

4. **照明系统:** 在 LED 照明系统中,该产品可用于 LED 驱动电路中的功率控制和调节,适用于户外照明、工业照明等场合。

综上所述,VBMB195R06 在高压、高功率应用场合中具有广泛的应用前景,可用于电源模块、电机驱动、充电器和逆变器、照明系统等多个领域和模块中,为各种电子设备的稳定运行提供可靠保障。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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