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VBMB18R25S 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBsemi的VBMB18R25S是一款Single N MOSFET,具有800V的漏极-源极电压(VDS),30V的门极-源极电压(VGS,正负),以及3.5V的门极阈值电压(Vth)。该器件采用SJ_Multi-EPI技术制造,封装为TO220F。

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产品参数:

详细参数说明:
- VDS(漏极-源极电压):800V
- VGS(门极-源极电压):±30V
- Vth(门极阈值电压):3.5V
- 在VGS=10V时的漏极-源极电阻(mΩ):138
- 最大漏极电流(ID):25A

领域和模块应用:

该产品适用领域及模块示例:
1. 电动车电机驱动器:由于VBMB18R25S具有较高的漏极-源极电压和大电流特性,可用于电动车电机驱动器模块,以提供可靠的动力输出。
2. 工业高压电源系统:在工业领域,VBMB18R25S可用于高压电源系统的开关电源模块,以实现高效的能量转换和稳定的电源输出。
3. 太阳能逆变器:由于其高电压和大电流特性,VBMB18R25S适用于太阳能逆变器的功率模块,用于将太阳能电能转换为可用的交流电能。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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