VBMB18R20SFD - VBsemi MOS管制造商

VBMB18R20SFD 产品详细

描述
参数
应用
技术支持

返回上级页面

产品简介：

产品简介详：
该产品型号为VBMB18R20SFD，由品牌VBsemi推出。它是一款Single N MOSFET，采用了SJ_Multi-EPI技术，适用于高压应用。封装为TO220F，具有良好的散热性能和电气特性。

文件下载

下载PDF 文档

立即下载

点击查看大图

产品参数：

详细参数说明：
- 产品型号：VBMB18R20SFD
- 品牌：VBsemi
- 类型：Single N MOSFET
- 封装：TO220F
- 主要参数：
- 漏极-源极电压（VDS）：800V
- 栅极-源极电压（VGS）：±30V
- 阈值电压（Vth）：3.5V
- 在VGS=10V时的导通电阻（mΩ）：205
- 最大漏极电流（ID）：20A
- 技术：SJ_Multi-EPI

领域和模块应用：

该产品适用领域和模块举例：
1. 工业电源系统：用于工业级电源系统中的开关电源模块，提供稳定的电力输出。
2. 太阳能逆变器：可用于太阳能逆变器中的DC-AC转换阶段，帮助将太阳能板产生的直流电转换为交流电。
3. 电动汽车充电桩：适用于电动汽车充电桩中的功率开关模块，提供高效快速的充电能力，满足电动车充电需求。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持：

* 如果您对产品有任何问题，请填写表格提交，我们会24小时内回复您

MOSFET

VBMB18R20SFD 产品详细

产品简介：

文件下载

下载PDF 文档

产品参数：

领域和模块应用：

技术支持：

打样申请

序列号验证

在线咨询

电话咨询

微信咨询

一键置顶