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VBMB18R20S 产品详细

产品简介:

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VBsemi的VBMB18R20S是一款单N型MOSFET,具有以下主要特点:最大漏源电压(VDS)为800V,最大门源电压(VGS)为±30V,阈值电压(Vth)为3.5V。在VGS=10V时,其导通电阻为205 mΩ,最大漏极电流(ID)为20A。该产品采用了SJ_Multi-EPI技术,并采用TO220F封装。其特性使其在高电压、高电流控制的应用中具有广泛的应用潜力。

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产品参数:

详细参数说明:

- 产品型号:VBMB18R20S
- 品牌:VBsemi
- 类型:单N型MOSFET
- 最大漏源电压(VDS):800V
- 最大门源电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- VGS=10V时的导通电阻:205 mΩ
- 最大漏极电流(ID):20A
- 技术:SJ_Multi-EPI
- 封装:TO220F

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:

VBMB18R20S MOSFET适用于多种领域和模块,以下是一些典型的应用场景:
1. 电动车电源管理:适用于电动汽车充电器、电池管理系统,以及电机驱动器,实现高效率的电源管理和电动车的动力输出控制。
2. 工业电力电子:可用于工业中的变频器、电力调节器和电力因素校正器等,用于实现电力系统的控制和调节。
3. 太阳能逆变器:用于太阳能发电系统中的逆变器和电源管理模块,将太阳能电池板收集的直流电转换为交流电。
4. 电源供应模块:可应用于各种电源供应模块,如开关电源、UPS系统和充电器等,以实现稳定可靠的电源输出。
5. LED照明驱动:适用于LED照明系统中的驱动电路,用于调节LED灯的亮度和色温。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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