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VBMB18R17SE 产品详细

产品简介:

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VBsemi的VBMB18R17SE型号是一款单通道N沟道功率MOSFET,具有800V的漏极-源极电压(VDS)、17A的漏极电流(ID),以及3.5V的阈值电压(Vth)。采用了SJ_Deep-Trench技术,封装为TO220F。该MOSFET适用于高压应用,并具有较低的导通电阻和较高的漏极电流承受能力。

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产品参数:

详细参数说明:
- 产品型号:VBMB18R17SE
- 品牌:VBsemi
- 类型:单通道N沟道功率MOSFET
- 最大漏极-源极电压(VDS):800V
- 门-源电压(VGS)范围:±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在VGS=10V时的导通电阻(mΩ):280
- 最大漏极电流(ID):17A
- 技术:SJ_Deep-Trench
- 封装:TO220F

领域和模块应用:

应用领域举例:
1. 电源管理模块:VBMB18R17SE可用于电源管理模块中的开关电源,实现稳定的电压输出和电流控制。
2. 照明驱动器:在LED照明驱动器中,需要高性能的功率开关器件来控制电流和亮度,VBMB18R17SE可用作开关元件,提供可靠的驱动功能。
3. 汽车电子:在汽车电子领域,需要承受汽车电路中的高电压和电流,VBMB18R17SE可用于汽车电子模块中的功率控制和保护电路。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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