VBMB18R17SE - VBsemi MOS管制造商

VBMB18R17SE 产品详细

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产品简介：

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VBsemi的VBMB18R17SE型号是一款单通道N沟道功率MOSFET，具有800V的漏极-源极电压（VDS）、17A的漏极电流（ID），以及3.5V的阈值电压（Vth）。采用了SJ_Deep-Trench技术，封装为TO220F。该MOSFET适用于高压应用，并具有较低的导通电阻和较高的漏极电流承受能力。

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产品参数：

详细参数说明：
- 产品型号：VBMB18R17SE
- 品牌：VBsemi
- 类型：单通道N沟道功率MOSFET
- 最大漏极-源极电压（VDS）：800V
- 门-源电压（VGS）范围：±30V
- 阈值电压（Vth）：3.5V
- 在VGS=10V时的导通电阻（mΩ）：280
- 最大漏极电流（ID）：17A
- 技术：SJ_Deep-Trench
- 封装：TO220F

领域和模块应用：

应用领域举例：
1. 电源管理模块：VBMB18R17SE可用于电源管理模块中的开关电源，实现稳定的电压输出和电流控制。
2. 照明驱动器：在LED照明驱动器中，需要高性能的功率开关器件来控制电流和亮度，VBMB18R17SE可用作开关元件，提供可靠的驱动功能。
3. 汽车电子：在汽车电子领域，需要承受汽车电路中的高电压和电流，VBMB18R17SE可用于汽车电子模块中的功率控制和保护电路。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持：

* 如果您对产品有任何问题，请填写表格提交，我们会24小时内回复您

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