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VBMB18R11SE 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBsemi的VBMB18R11SE是一款单N沟道功率MOSFET,采用SJ_Deep-Trench技术,封装为TO220F。该器件具有高压耐受能力和适中的导通电阻,适用于多种功率应用场合。

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产品参数:

详细参数说明:
- 产品型号:VBMB18R11SE
- 品牌:VBsemi
- 类型:单N沟道功率MOSFET
- 最大漏极-源极电压(VDS):800V
- 最大栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在VGS=10V时,漏极-源极电阻(mΩ):350
- 最大漏极电流(ID):11A
- 技术:SJ_Deep-Trench
- 封装:TO220F

领域和模块应用:

适用领域和模块示例:
1. 电源逆变器:VBMB18R11SE适用于各种电源逆变器模块,如家用逆变器、工业逆变器等,用于转换直流电源为交流电源。
2. 汽车电子模块:在汽车电子领域,该器件可用于电动汽车电池管理系统、充电桩控制器等模块中,以提供稳定的电力输出。
3. 白色家电控制器:该器件可用于控制家用白色家电产品,如空调、冰箱等,实现高效节能和稳定的电力供应。
4. LED照明驱动器:在LED照明领域,VBMB18R11SE可用作LED照明驱动器中的功率开关元件,用于调节和控制LED灯的亮度和颜色。
5. 工业自动化设备:在工业自动化设备中,该器件可用于电机控制、电源模块和功率调节模块等,以提高设备的性能和可靠性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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