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VBMB18R11S 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBsemi的VBMB18R11S是一款单N沟道场效应晶体管,具有800V的漏极-源极电压(VDS)和30V的门源电压(VGS)。它采用SJ_Multi-EPI技术,具有3.5V的阈值电压(Vth),适用于TO220F封装。

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产品参数:

详细参数说明:
- 产品型号:VBMB18R11S
- 品牌:VBsemi
- 类型:单N沟道场效应晶体管
- VDS(漏极-源极电压):800V
- VGS(门源电压):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- VGS=10V时的导通电阻:480mΩ
- 最大漏极电流(ID):11A
- 技术:SJ_Multi-EPI
- 封装:TO220F

领域和模块应用:

应用举例:
该产品适用于多个领域和模块,例如:
1. 工业电力电子:VBMB18R11S可用于工业电力电子设备中的开关电源、逆变器和稳压器等模块,提供稳定的电源和功率控制。
2. 汽车电子:在汽车电子系统中,如电动汽车的功率模块和车载充电桩中,该器件可以用作电动机驱动器和电源管理模块,支持车辆的动力系统和电气系统。
3. 太阳能逆变器:VBMB18R11S可用于太阳能逆变器中,将太阳能板产生的直流电转换为交流电,以供应给家庭或商业用电系统。
4. 电源供应模块:由于其高电压和高电流特性,该器件适用于各种电源供应模块,包括工业电源、通信设备和医疗设备等。

以上是该产品适用于不同领域和模块的一些示例说明。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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