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VBMB18R09SE 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBsemi的VBMB18R09SE型号是一款Single N型的功率场效应晶体管(MOSFET),封装为TO220F。该器件采用SJ_Deep-Trench技术制造,具有出色的性能和可靠性。其主要特点包括额定漏极-源极电压(VDS)为800V,最大漏极电流(ID)为9A,开启电压(Vth)为3.5V,以及在VGS=10V时的导通电阻为480mΩ。

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产品参数:

详细参数说明:
- 产品型号:VBMB18R09SE
- 品牌:VBsemi
- 参数:
- 类型:Single N
- 额定漏极-源极电压(VDS):800V
- 额定栅极-源极电压(VGS):±30V
- 开启电压(Vth):3.5V
- 在VGS=10V时的导通电阻:480mΩ
- 最大漏极电流(ID):9A
- 技术:SJ_Deep-Trench
- 封装:TO220F

领域和模块应用:

应用领域举例:
1. 电源管理模块:VBMB18R09SE适用于电源管理模块中的功率开关电路,可用于开关稳压器、DC-DC转换器等模块,帮助实现高效的能量转换和稳定的输出电压。
2. 电动汽车驱动器:在电动汽车的驱动系统中,VBMB18R09SE可用作电机驱动器中的功率开关,控制电机的启停和转速,实现汽车的动力传输。
3. 灯光控制模块:该器件也可应用于照明领域的灯光控制模块,如LED驱动器和照明调光模块,用于调节灯光的亮度和色温,提升能效和舒适性。

这些领域和模块需要使用功率MOSFET来控制电流和电压,而VBMB18R09SE的性能特点使其成为这些应用中的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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