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VBMB18R07S 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBMB18R07S是VBsemi公司推出的单N沟道功率MOSFET产品,采用SJ_Multi-EPI技术制造,封装为TO220F。该产品具有800V的漏极-源极电压(VDS)、30V的门极-源极电压(VGS)、3.5V的门极阈值电压(Vth)等特点。它能够承受最大7A的漏极电流(ID),并且在VGS=10V时具有770mΩ的导通电阻。VBMB18R07S适用于各种功率电子应用场景,为电源系统和电气控制提供高效稳定的性能。

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产品参数:

详细参数说明:
- 产品型号:VBMB18R07S
- 品牌:VBsemi
- MOSFET类型:单N沟道
- 漏极-源极电压(VDS):800V
- 门极-源极电压(VGS):±30V
- 门极阈值电压(Vth):3.5V
- VGS=10V时的导通电阻:770mΩ
- 最大漏极电流(ID):7A
- 技术:SJ_Multi-EPI
- 封装:TO220F

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 工业电源模块:VBMB18R07S可用于工业电源系统中的开关电源模块,提供高效的能量转换和稳定的电源输出。
2. 汽车电子控制:在汽车电子控制单元(ECU)中,该产品可用于驱动电机控制、电源管理等应用,确保汽车电子系统的可靠性和稳定性。
3. LED照明应用:作为LED驱动电路中的功率开关元件,VBMB18R07S能够提供高效的能量转换,实现LED照明系统的节能和长寿命。
4. 太阳能逆变器:在太阳能逆变器中,该产品可用于直流到交流的能量转换,帮助太阳能系统实现高效稳定的电能输出。
5. 工业自动化设备:在工业自动化设备中,VBMB18R07S可用于电机驱动、电源开关控制等应用,提高设备的运行效率和可靠性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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