MOSFET

您现在的位置 > 首页 > MOSFET

VBMB18R06SE 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBsemi的VBMB18R06SE是一款单N沟道场效应晶体管产品,具有800V的漏极-源极电压(VDS),6A的漏极电流(ID),并采用了SJ_Deep-Trench技术。该产品封装为TO220F,适用于各种应用场合。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

详细参数说明:
- 漏极-源极电压(VDS):800V
- 栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- VGS=10V时的导通电阻(mΩ):750mΩ
- 漏极电流(ID):6A
- 技术:SJ_Deep-Trench

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 工业电源模块:由于其较高的漏极-源极电压和漏极电流,VBMB18R06SE适用于工业电源模块,能够提供稳定可靠的电源输出。
2. 汽车电子模块:在汽车电子领域,该产品可以用于电动汽车的电动驱动系统,如电动车辆的电机控制单元(MCU)等。
3. 太阳能逆变器:由于其较高的耐压和电流参数,VBMB18R06SE也可用于太阳能逆变器模块,实现太阳能电能的转换和输出。
4. LED照明驱动:在LED照明领域,该产品可用于LED驱动电路,提供稳定的电流输出,实现LED照明设备的亮度调节和控制。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

序列号验证

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
序列号验证
在线咨询
电话咨询
微信咨询