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VBMB18R06S 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBsemi的VBMB18R06S是一款Single N场效应晶体管(MOSFET),具有高压800V、低门压驱动(Vth=3.5V)和较低的导通电阻(800mΩ@VGS=10V),适用于各种功率电子应用。

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产品参数:

详细参数说明:
- 型号:VBMB18R06S
- 品牌:VBsemi
- 类型:Single N MOSFET
- 高压耐受性(VDS):800V
- 门源电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 导通电阻(RDS(on)):800mΩ@VGS=10V
- 最大漏极电流(ID):6A
- 技术:SJ_Multi-EPI
- 封装:TO220F

领域和模块应用:




适用领域和模块示例:
1. 工业电源模块:由于高压耐受性和低导通电阻,VBMB18R06S可用于工业电源模块中的开关电源、逆变器和直流-直流(DC-DC)转换器。
2. 风能转换系统:在风能转换系统中,该MOSFET可用于控制风力涡轮机的功率转换和调节。
3. 太阳能逆变器:适用于太阳能逆变器中的直流-交流(DC-AC)转换阶段,帮助将太阳能板产生的直流电转换为交流电。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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