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VBMB18R05S 产品详细

产品简介:

### 产品简介

VBsemi VBMB18R05S 是一款单 N 型沟道功率 MOSFET,采用 SJ_Multi-EPI 技术制造。该产品具有高性能和可靠性,适用于各种功率控制和开关电路。封装为 TO220F,具有良好的散热性能和安装便利性。

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产品参数:

### 详细参数说明

- **产品型号:** VBMB18R05S
- **品牌:** VBsemi
- **参数:**
- **类型:** 单 N 型沟道功率 MOSFET
- **漏极-源极电压(VDS):** 800V
- **栅极-源极电压(VGS):** ±30V
- **阈值电压(Vth):** 3.5V
- **栅极-源极电压为10V时的导通电阻(mΩ):** 1100
- **漏极电流(ID):** 5A
- **技术:** SJ_Multi-EPI
- **封装:** TO220F

领域和模块应用:




### 应用领域举例

1. **电源开关:** VBMB18R05S 可用于电源开关电路中,如开关电源、逆变器等,帮助实现对电路的快速开关和功率控制。

2. **照明控制:** 在 LED 照明控制系统中,该产品可用于调光电路和开关电源,实现对 LED 灯的亮度和开关控制。

3. **电动车充电桩:** 在电动车充电桩中,VBMB18R05S 可用于充电控制模块,保障电池充电安全和充电效率。

4. **工业控制系统:** 在工业控制领域,该产品可用于各种工业控制系统中的功率开关电路,如电机控制、变频器等。

综上所述,VBMB18R05S 适用于电源开关、照明控制、电动车充电桩、工业控制系统等多个领域和模块,为各种功率应用提供稳定可靠的功率控制功能。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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