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VBMB18R04 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBsemi的VBMB18R04是一款单N沟道场效应晶体管产品,具有800V的漏极-源极电压(VDS),4A的漏极电流(ID),并采用了Plannar技术。该产品封装为TO220F,适用于多种应用场合。

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产品参数:

详细参数说明:
- 漏极-源极电压(VDS):800V
- 栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- VGS=4.5V时的导通电阻(mΩ):1440mΩ
- VGS=10V时的导通电阻(mΩ):1800mΩ
- 漏极电流(ID):4A
- 技术:Plannar

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 工业电源模块:VBMB18R04适用于工业电源模块,可用于各种工业设备的电源管理和控制。
2. 电动汽车驱动系统:在电动汽车领域,该产品可用于电动汽车的电机控制单元(MCU),实现电动汽车的动力传输和控制。
3. 太阳能逆变器:VBMB18R04可应用于太阳能逆变器模块,实现太阳能电能的转换和输出,用于家庭和商业太阳能发电系统。
4. LED照明驱动:在LED照明领域,该产品可用于LED驱动电路,提供稳定的电流输出,用于各种室内和室外LED照明设备。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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